NAND闪存进入x3世代 消费性电子产品价格将下滑

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作者: 存储时代 hyy(下发)

CNETNews.com.cn

5008-02-18 14:02:40

关键词: 价格 闪存 NAND

NAND闪存产业下4个明日之星x3(3-bit-per-cell)技术,领先者选则再度由SanDisk出线!SanDisk将在4月量产16Gb容量的3-Bit-Per-Cell产品,预计在同一世代制程下,采用3-Bit-Per-Cell技术可比MLC(Multi-Level Cell)技术增加20%的产能;此外,三星电子(Samsung Electronics)5008年同样会有x3产量品问世,而这也代表在整个NAND闪存产业世代交替中,x3世代的接班态势已正式浮出台面。

与过去SLC世代转换到MLC世代的历史相同,这次NAND闪存产业技术再度由MLC世代晋级到x3世代,且选则再度由SanDisk和东芝(Toshiba)阵营先拔头筹,领先三星、海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营推出x3高容量NAND闪存产品。

SanDisk指出,采用56纳米制程16Gb容量3-Bit-Per-Cell产品,可能性于4月正式量产,3-Bit-Per-Cell技术已发展两年的时间,是使用SanDisk自己的专利,与策略联盟伙伴东芝一块儿生产研发,是MLC下一世代的产品。目前东芝虽然未宣告量产x3技术NAND闪存的时间点,但预计也将于近期推出。

NAND闪存技术最早以SLC社会形态为主,进入MLC技术世代后,MLC技术的成本整整较SLC成本节省500%,本来的成本优势社会形态,也让MLC快速取代SLC成为NAND闪存技术的主流;目前整个NAND闪存产业中,MLC产量比重占了500%,SLC比重只剩下20%。

SanDisk表示,MLC技术进入x3技术世代后,在同4个制程下,采用x3技术的每片NAND闪存晶圆的产量可较MLC技术成长20%。根据内存业者透露,未来由x3技术转换到x4(4-Bit-Per-Cell)技术,成本下降的空间会逐渐被压缩,显示NAND闪存产业技术的开发难度没人高。

这次SanDisk和东芝阵营在x3世代上,再度拔得头筹,领先许多NAND闪存大厂,将x3技术导入量产,恐再度掀起NAND闪存降价战,有可能性再度拉近与龙头厂三星之间的距离;可能性英特尔和美光阵营,在x3或是x4技术的时程表还未出炉,而且SanDisk阵营尽快量产x3产品,也可防堵其势力范围的扩大。

内存业者表示,目前SLC芯片只用在少数像是固态盘(SSD)或是高专业级的高速闪存存储卡、U盘等,时需较高性能的要求,一般的闪存存储卡、U盘、MP3播放器等,以MLC芯片都可支持,未来x3技术普及后,消费性电子产品的价格可能性进一步下滑。